图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 TIP41(A,B,C),TIP42(A,B,C) |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 6A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1.5V @ 600mA, 6A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 700µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 15 @ 3A, 4V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 频率转换 | 3MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220AB |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V |
| 集电极最大直流电流 | 6 A |
| 最小直流电流增益 | 30@300mA@4V|15@3A@4V |
| 最大工作频率 | 3(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.5@600mA@6A V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 6 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 3(Min) |
| 封装 | Rail |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 80 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 最大集电极发射极电压 | 80 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 6A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 3MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.5V @ 600mA, 6A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 700µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 15 @ 3A, 4V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.5 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 30 |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 80 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 6 A |
| 频率 - 跃迁 | 3MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 1.5V @ 600mA, 6A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 700µA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 15 @ 3A, 4V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 6A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80V |
| 最高工作频率 | 1 MHz |
| 最大直流集电极电流 | 6 A |
| 长度 | 10.28mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 安装类型 | 通孔 |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 高度 | 15.75mm |
| 最大功率耗散 | 65 W |
| 宽度 | 4.82mm |
| 封装类型 | TO-220 |
| 最大集电极-发射极电压 | 80 V |
| 引脚数目 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 15 |
| 尺寸 | 10.28 x 4.82 x 15.75mm |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1.5 V 直流 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大集电极-基极电压 | 80 V 直流 |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 长度 | 10.53 mm |
| 系列 | TIP41 |
| 身高 | 15.75 mm |
| Pd - Power Dissipation | 65 W |
| associated | NTE331 273-AB |
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